Darlington-Transistorarrays, STMicroelectronics
Transistor-Typ | NPN |
Dauer-Kollektorstrom max. | 0,5 A |
Kollektor-Emitter- | 50 V |
Basis-Emitter Spannung max. | 50 V |
Gehäusegröße | PDIP |
Montage-Typ | Durchsteckmontage |
Pinanzahl | 18 |
Konfiguration | Octal Common Emitter |
Anzahl der Elemente pro Chip | 8 |
Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 1,1 V |
Breite | 7.1mm |
Höhe | 3.93mm |
Länge | 23.24mm |
Abmessungen | 23.24 x 7.1 x 3.93mm |
Betriebstemperatur min. | -20 °C |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
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